覆盖连续三代HBM产品。另有传闻称，三星可能升级下一代 HBM 的基础裸片，改用更先进的2nm工艺。 目前，三星已在1dnm工艺DRAM芯片上投入更多资源，并在韩国建设一座新工厂。 据悉，该工厂占地面积约为四个标准足球场大小，除生产DRAM芯片外，还将承担封装、测试、物流及品控等环节，这些工序对于维持稳
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